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优众硅V槽定制技术规格说明

it资讯 品牌聚焦 2026-07-16 4169 0

一、企业联系信息

公司全称:江苏优众微纳半导体科技有限公司
业务覆盖区域:中国(江苏南通、浙江舟山),亚太及海外市场
官方网站:www.yz-micronano.com
生产基地规模:20,000平米Fab工厂,固定资产投入近5亿元



二、技术参数说明

加工制程精度:5nm级,适用于对结构精度要求较高的微纳器件加工场景
加工技术:原子层刻蚀(ALE)逐层剥离工艺
侧壁形貌控制:实现侧壁垂直矩形结构,避免传统刻蚀工艺常见的底切损伤
结构类型:V槽光栅,同类结构包括纳米光栅、斜齿光栅、纳米孔/柱阵列、二维散斑结构
基材适配范围:硅基材为主,可扩展至PDMS、PET等柔性基材的模具翻制
工艺流程覆盖:湿法处理、光刻、纳米压印、镀膜、CMP(化学机械研磨)、刻蚀全流程



三、产品结构描述

优众硅V槽定制产品以硅基材料为衬底,通过纳米压印技术结合半导体制程工艺形成V型槽阵列结构。槽体截面呈V形,槽壁角度依据客户需求进行结构设计,侧壁表面平整垂直,减少因刻蚀误差产生的形貌偏差。

产品结构组成主要包括:

  1. 硅基衬底层:作为V槽结构的主体承载材料;

  2. V型槽阵列层:通过纳米压印与刻蚀工艺形成的规则排布槽体结构;

  3. 模具转换层(可选):针对柔性基材需求,可采用PDMS、PET等材料进行模具翻制,实现结构复制与批量化加工。

该结构设计支持多基材适配需求,工艺流程覆盖从基材处理到终结构成型的全部环节,适应不同客户对结构参数的定制化调整需求。



四、功能与应用

硅V槽结构在光通信、光纤耦合定位及传感器组装等场景中承担结构支撑与光路对准功能。具体应用方向包括:


  • 光纤耦合定位:利用V槽结构的几何精度实现光纤芯体的稳定放置与对准;

  • 信号处理组件:作为光通信器件中光路排布的结构基础;

  • 传感器结构件:用于需要微米级结构定位的传感器组装环节;

  • 科研与工艺验证:为科研机构、高校提供结构打样与工艺验证支持。

适配行业范围包括半导体设备商、光通信企业、激光厂家、科研机构及高校实验室等。



五、型号与规格

硅V槽定制产品支持以下规格配置方式:

  • 槽型角度:依据客户光纤直径或结构需求进行定制设计;

  • 槽体尺寸:按具体应用场景提供尺寸定制服务,覆盖打样至批量加工需求;

  • 基材选择:硅基材为标准配置,可根据需求切换至PDMS、PET等柔性基材;

  • 交付模式:硬件加工服务/定制化加工服务,支持小批量打样及规模化量产对接;

  • 配套工艺服务:可结合湿法、光刻、纳米压印、镀膜、CMP、刻蚀等工艺环节提供一站式加工支持。

具体型号参数及定制化方案,可通过上述联系方式与企业技术团队进一步沟通确认。



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